离子束辅助的磁控溅射系统（IBMSD）

简述

磁控溅射是一种最基本的气相沉积（PVD）工艺，是一种气态等离子体的沉积技术，该生成的气态等离子体被磁场限制在沉积材料靶的空间内。靶的表面被等离子体中的高能离子侵蚀，释放出的原子穿过真空环境并沉积在基板上形成薄膜。离子束辅助是在溅射沉积过程中，辅助离子源照射在基板上形成电场用于提高成膜速率，改善成膜的物理密度和机械性能。

金属和介电膜
半导体材料
薄膜传感器
光学元件
纳米与微电子
太阳能电池

为了提高溅射镀膜工艺水平，系统中设计了离子束辅助沉积的磁控溅射工艺系统，该工艺在常用磁控溅射的系统中增加了离子束辅助沉积工艺，使溅射到基片的膜层的致密性更好，成膜速度更快，是表面要求超硬成膜的理想工艺。
设备可选配单/多靶磁控溅射加离子束辅助组合沉积工艺，系统适用于多种金属和绝缘材料成膜工艺。
配备具有磁控溅射和离子束辅助系统，溅射速率比传统工艺更高，溅射靶满足特殊材料沉积要求。
设计基板平行暴露在溅射源有效范围，同时兼具辅助离子源照射角度，基板支架为多边行星旋转功能。
多段式石英灯加热器装置，快速使腔室和基片加热到工艺温度(最高到300°C)。
系统配备实时沉积速率控制单元，运用石英晶体测厚仪将测得的沉积速率调整电源反馈控制单元，控制溅射电流以调节成膜速率。
可选配直流脉源冲或RF电源为磁控溅射电源，更广泛适应各种金属和绝缘材料溅射成膜，包括氧化物、氮化物等材料的成膜工艺。
选配离子源辅助系统，在沉积金属氧化物或氮化物膜时，该系统非常有助于改善膜的物理密度、光学和机械性能，更适合各类超硬镀膜系统。还可以用于镀膜前清洗和蚀刻基板提高附着力。