IEBD电子束蒸发镀膜系统

多种电子束沉积镀膜系统解决方案，根据客户实际要求定制生产单/双电子束蒸发、电子束+电阻热蒸发、电子束沉积+离子束辅助等多种工艺PVD系统。并实现软件模块化，自主选择自动切换系统控制单元和工艺参数设定。制作完善可靠的多工艺薄膜系统。

ISBD-650D型溅射系统用于在直径达 200 毫米的基板上沉积金属和介电薄膜。使用 RF、DC 或脉冲 DC 电源的磁控溅射源阵列可单独或以共沉积模式运行，以生产各种复合薄膜。4个3英寸磁控溅射源的尺寸可选，并提供靶位倾斜装置用于微调沉积角度。配备load-lock和进样室更有利于镀膜的效率和腔室内的洁净度； 直流或RF 偏压的基片台直径达 300 毫米。溅射室可以配备多个附加接口，例如残余气体分析 (RGA)、反射高能电子衍射 (RHEED) 的安装，

主要配置：

• 圆形真空室尺寸Ф650mm x500mm
• 1600L/s涡轮分子泵+双级旋片泵组合
• 全量程B-A复合真空规
• 三组3英寸磁控溅射靶
• 碳化硅基板加热温控至600℃
• 旋转基片挂架，更利于大片沉积的均匀性保证。
• 2DC+1RF溅射电源
• VAT全自动压控闸阀
• 石英晶体监测系统用于实时厚度测量（1 nm精度）
• 精密气体质量流量计（MFC）
• PC+PLC控制系统可提供自动和手动调试模式
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• 系统特点：
• 1.适应更多镀膜工艺的要求，可选择配备单/双电子束蒸发、离子束辅助系统等多种组合镀膜工艺，适用于多种金属和非金属导电体材料成膜工艺。
• 2.保持恒定的沉积速率，系统设计了实时沉积速率控制单元，运用石英晶体测厚仪将测得的沉积速率用来调整电源电流的反馈控制单元，驱动电流以调节成膜速率。
• 3.设计良好的基板安装方式，以使基板均匀地暴露在蒸发源有效范围，同时兼具离子源照射角度，基板支架设计成由球体组成旋转的圆装多边形状，配备行星旋转功能。
• 4.为了提高附着力和更高密度涂层，系统还配备了离子源辅助镀膜系统可选，在沉积金属氧化物或氮化物膜时，离子源辅助系统非常有助于改善膜层的物理密度、光学和机械性能。还可以用于蒸镀工艺之前清洗和蚀刻基板，以提高附着力。
• 5.系统设计方面充分兼顾科研实验和工业生产两种环境的适应性，机体设计紧凑美观，便于维护保养和日后系统升级改造，腔室采用全304不锈钢经表面处理保证了腔室的光洁度和气密性。
• 6.设备各单元经仔细设计后更便于拆装和维护，管线整齐、泵浦和电源等大件安装位置合理。
• 设备高低配可选，模块化软件系统适用于不同的配置，无需更改系统更便于硬件升级。
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UHV-650型磁控溅射系统，采用超高真空系统配置，三组圆形磁控溅射靶群和离子束辅助沉积控制系统。适用于沉积各种金属、介电膜系溅射工艺.可实现单靶直溅和多靶共焦溅射功能。制备氮化物和氧化物反应膜溅射功能，可沉积金属、合金、化合物、半导体、介电复合膜和其它反应膜层，非常适合高端新材料研发和半导体材料批量生产。

UHV-650型磁控溅射仪

系统特点：

 分子泵（冷泵+低温水泵）+干泵超真空系统。

旋转基板和倾斜溅射靶镀制可控均匀的单层、多层和合金薄膜。

基片load lock系统保证主腔室不受污染且提高镀膜效率。

4个直流或射频溅射源，轻松实现单\多靶共焦溅射功能。

静态或动态沉积、行星和双行星自转。

• 基板的射频偏压保证膜层质量。

离子束辅助沉积，提高膜层致密性和附着力。

4路MFC气体流量计和恒定压力控系统。

• PC+PLC系统预设参数全自动完成薄膜沉积。
• 全自动制备多层金属、反应化合膜、半导体介质复合膜。 

ISBD-450D型磁控溅射机

系统特点：

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• 分子泵+干泵+金属密封腔，快速达到超高真空
• 3路MFC气体流量计和恒压控制系统
• PC+PLC系统预设参数全自动薄膜沉积
• 配备3个3''直流和射频靶，可实现多种膜层工艺要求
• 离子源辅助单元有效改善膜层质量并兼具基片清洁
• 可实现单靶直溅和多靶共焦溅功能
• 全自动制备多层金属、反应化合膜、半导体介质复合膜等

系统优点：

• 定制的共焦溅射靶，旋转基板和多角度倾斜磁控溅射源以及PID功率控制单元保证沉积均匀的单层、多层和合金膜层。

• 技术参数：
• 极限真空度：≤1E-6Pa (经烘烤除气后)；
• 检漏漏率：≤5.0E-10 Pa.l/S，
• 成膜速率：各种材料综合速率≥8nm/min；
• 膜厚均匀性：综合均匀度≤2%。
• 最大基片尺寸：250mm

系统优点：

独立loadlock系统

溅射上/下配置可选

• 共焦系统集群，真正的共溅射
• 反应性和非反应性溅射
• 静态或动态沉积、行星和双行星自转
• 沉积前和沉积期间基板上的射频偏压
• 基板温度高达 1000°C

系统配置：

圆形304不锈钢带视口腔体

涡轮泵（或低温泵）和干泵

真空阀 高真空闸阀腔室排气阀，前级角阀和气阀

宽量程真空计和皮拉尼粗真空计

多达4个3寸圆形磁控溅射源

直流、脉冲直流或射频电源

基板旋转加热或冷却

4通道质量流量控制器用于溅射过程压力PID控制

联锁冷却水流量传感器保护溅射源正常工作

优于 3 E-8 Torr的真空度。 载样量最大限度。8寸平面基板最大。

样品温控加热器温度 60 0℃（选配 1000℃）

旋转载物台结构保证膜层均匀性优于3 %

• 技术参数：
• 极限真空度：≤1E-6Pa (经烘烤除气后)；
• 检漏漏率：≤5.0E-10 Pa.l/S，
• 成膜速率：各种材料综合速率≥10nm/min；
• 膜厚均匀性：综合均匀度误差≤2%。
• 最大基片尺寸：8英寸*3

• 系统配置：
• Φ1000mm*1050mm(h)圆形不锈钢腔室+不锈钢机架；
• 1600L/s涡轮分子泵+干式涡旋真空泵（选配10英寸低温泵+干式前级泵）；
• 全量程复合真空计 ；
• 2个独立8位坩埚电子束蒸发源；
• 石英晶体监测系统用于实时厚度测量；
• 一套霍尔离子束辅助蒸发系统；
• 全自动PLC+PC上位机控制系统；
• 公自转载具样品挂架
• 2套2英寸500°C基板加热装置；
• 伺服旋转系统+磁流体中轴密封；
• 3路MFC气体控制系统 。