SRT-300蒸发镀膜仪

简述

SRT-300台式电阻热蒸发PVD系统，采用涡轮分子泵真空组件,在高真空环境沉积薄膜。配备三组蒸发舟及精密沉积控制系统，非常适合科研实验或新材料研发使用，适用于快速多层金属或合金沉积工艺。

系统展示

SRS-200型磁控溅射仪

SRS-200小型磁控溅射仪配备三个1英寸磁控溅射靶群及控制系统，适用于沉积各种单/多层膜系.可实现单靶直溅和多靶共射功能。制备氮化物和氧化物反应膜溅射功能，可沉积金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它反应膜层，非常适合科研实验或新材料研发使用，即插即用，方便快捷，适用于多层金属或合成膜沉积工艺。是教研机构超值的薄膜沉积设备。

系统特点：

系统采用外接前级真空泵和机内涡轮分子泵组，极限真空达到6E-7torr。

标准模块化配置，便于系统随意搭配。

石英玻璃腔室简洁美观。

三个蒸发源可连续或同时沉积金属和合金薄膜。

台式结构新颖大方，非常适合科研实验和短时间沉积金属薄膜。

应用领域：

• 科研实验镀膜
• 金属/合金以及有机物沉积
• 薄膜传感器
• 光学元件
• 纳米与微电子

技术指标

• 系统真空度：≤10. x10-4 Pa (经烘烤除气后)
• 系统检漏漏率：≤5.0x10-8 Pa.l/S
• 成膜速率：各种材料综合速率≥10nm/min
• 膜厚均匀性：公转综合均匀度≤5%
• 沉积最大尺寸:200mm

功能配置

• φ300mm*350mm(h)圆柱形石英玻璃/不锈钢腔室
• 涡轮分子泵+双级旋片泵真空获得系统
• 带显示和控制输出的全量程真空计
• 最多3组独立热蒸发源，保证镀材互相无污染
• 两套用于多层薄膜蒸发沉积的电源
• 石英晶体监测系统用于实时厚度测量（选配）
• 7.5"触摸屏可控制沉积过程和快速数据输入
• 用户友好PLC软件系统，可以通过网络更新
• 带水冷装置的旋转样品架（选配）
• 两英寸最高500℃的加热器（选配）

SRT-400热蒸发镀膜仪

简述

SRT-400型电阻热蒸发系统，采用涡轮分子泵真空组件,在超高真空环境沉积薄膜。最多配备4组蒸发舟及精密沉积控制系统，非常适合科研实验或新材料研发使用，适用于快速多层金属或合金沉积工艺，可生产重复的高质量薄膜。

系统特点：

UHV腔室+涡轮分子泵组，极限真空达到1E-8torr（加热除气后）。

4个蒸发源可连续或同时沉积金属和合金薄膜。

蛤式UHV腔室结构可轻松操作。

非常适合科研实验和短时间沉积金属薄膜。

隔离沉积源以减少热效应和交叉污染。

配备了一套完整的可拆卸腔室防护罩，以确保腔室易于清洁和维护。

它可以集成到手套箱中或在独立配置中选择。

应用领域：

• 科研实验镀膜
• 金属/合金薄膜沉积
• 薄膜传感器
• 光学元件
• 纳米与微电子

技术指标

• 系统真空度：≤10. x10-4 Pa (经烘烤除气后)
• 系统检漏漏率：≤5.0x10-8 Pa.l/S
• 成膜速率：各种材料综合速率≥10nm/min
• 膜厚均匀性：公转综合均匀度≤5%
• 沉积最大尺寸:200mm

功能配置

• 400mm*350mm*380mm方形铝合金UHV腔室
• 涡轮分子泵+双级旋片泵真空获得系统
• 带显示和控制输出的全量程真空计
• 4组隔离热蒸发源，保证无交叉污染
• 石英晶体监测系统用于实时厚度测量
• 带水冷装置的旋转样品架
• 两英寸红外最高500℃加热器

• 系统特点：
• 紧凑的一体化设计，真正即插即用快捷方便。
• 最多配备三个1寸或2个2寸独立磁控靶位。
• 快速镀制多种金属和反应介质膜。
• 材料和基板安装方便实用，单片公转最大可沉积φ100mm的样品。
• 可实现多种金属和反应介质材料镀膜工艺要求。
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• 技术参数：

• 极限真空度：≤5E-5 Pa (经烘烤除气后)；
• 检漏漏率：≤5.0E-9 Pa.l/S，
• 成膜速率：各种材料综合速率≥8nm/min；
• 膜厚均匀性：公转综合均匀度≤5%。
• 最大基片尺寸：直径100mm

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• 典型应用：
• 材料薄膜实验
• 金属和介电膜
• 薄膜传感器
• 光学元件
• 纳米与微电子实验
• 太阳能薄膜

• 主要配置：
• Φ200mm*225mm(h)圆形不锈钢腔室
• 涡轮分子泵+双级旋片泵真空泵组
• 全量程复合真空计
• 手动压控阀全程压力控制
• 配备DC或RF电源更利于溅射多种金属和介质膜层
• MFC精密气体控制系统
• 石英晶体监测系统用于实时厚度测量（选配）
• 斜拉伸缩式触控屏可预设控制沉积过程和快速数据输入
• 用户友好软件系统，可以通过网络更新
• 基片可选择向上安装和向下两种安装模式，适应更多镀膜工艺要求.

SRS-400型磁控溅射仪

SRS-400型磁控溅射PVD系统，配备三个2英寸独立磁控靶，采用涡轮分子泵组和超高真空腔室及自动压控系统等高端配置，适用于沉积各种金属和反应膜层。可实现单靶直溅和多靶共溅射功能。适合快速制备多层金属、反应化合膜、半导体介质复合膜层等，配备精密沉积速率控制系统，非常适合新材料研发和小批量生产使用。

• 系统特点：
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• 大抽速真空系统，即插即用快捷方便；
• 配备3个独立直流和射频靶位；
• 快速制作多种金属和反应介质膜；
• 预设参数全自动沉积无需人为干预；
• 材料和基板安装方便实用；
• 单片公转最大可沉积φ240mm的膜片；
• 超高真空配置保证膜层质量；
• 配备射频源实现多种膜层工艺要求。 根据需要可增配进样室系统。
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• 系统特点：
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• 系统极限真空：≤5 x10-5 Pa (经烘烤除气后)；
• 30分钟真空：≤6 x10-4Pa；
• 系统漏率：≤5.0x10-10 Pa.l/S；
• 成膜速率：各种材料综合速率≥10nm/min；
• 膜厚均匀性：公转综合均匀度≤3%。
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• 典型应用：
• 材料薄膜实验
• 金属和介电膜
• 薄膜传感器
• 光学元件
• 纳米与微电子实验
• 太阳能薄膜

• 主要配置：
• Φ400mm*400mm(h)圆形不锈钢腔室；
• 可选配样品预真空腔室。
• 700L/s涡轮分子泵+涡旋干式真空泵；
• 全量程复合真空计（大气至1E-10Torr）；
• 压控蝶阀工艺自动压力控制；
• 配备3个独立2英寸溅射靶，靶头角度和高度可调；
• DC+RF电源更利于溅射多种金属和介质膜层；
• 3路MFC精密气体控制系统；
• 石英晶体监测系统用于实时厚度测量；
• 用户友好软件系统，可以通过网络更新；
• 一键式全自动升降系统，便于操作；
• 选配精密温控和基片加热装置可精确控制基片＞500°C；
• 伸缩式基片挂架，可轻松调节溅射距离和切换公自转模式；
• 自动腔体外包围环绕冷却系统。