SIBE-600型电子束蒸发镀膜仪 电子束+电阻热蒸发双功能镀膜设备
简述
SIBE-600电子束蒸发镀膜系统，配置低温泵真空组件，在高真空环境中采用电子束轰击镀材升华在基片上沉积薄膜。配备6位电子束蒸发源、2组电阻热蒸发源及精密沉积控制系统，适用于快速镀制多层金属和合金膜系沉积工艺。非常适合半导体器件制造、科研实验和新材料研发使用。
- 科研实验
- 半导体晶圆制程
- 光学薄膜元件
- 纳米与微电子器件
- 设备高度集成化，功能模块化，可依据客户要求定制系统；
- 全PC端软件操作控制，自主开发高度模块化功能镀膜系统；
- 电子束蒸发和电阻热蒸发双功能，可适应多种成膜工艺要求；
- 挂载式公自转行星样品转架，适用产品范围广，膜层厚度误差更小，操作更便捷；
- 低温泵高+干式涡旋泵真空系统组件，极限真空＜5E-6Pa；
- INFICON IC6石英晶振膜厚仪控制镀膜过程，预设参数全自动成膜无需人为干预；
- 进口TELEMARK 电子束蒸发源和配套控制系统保证镀材成膜质量更可靠、适用材料种类更多；
- 3个旋转挂架可预装基片，可根据基片数量装载挂架，镀膜和抽真空时间更短，单次装载基片数量更多，效率更高。
- 系统真空度：≤6 x10-8 torr ；
- 5E-6torr抽真空时间：≤35min
- 系统检漏漏率：≤5.0x10-9 Pa.L/s，
- 最大成膜速率：各种材料综合速率≥10nm/min；
- 电子束坩埚规格：6*7cc
- 电子束电源最大电流：＞10KV；800mA;
- 阻蒸发源规格：100mm,6-10V，400A;
- 单次最多镀膜层数：99层
- 膜厚均匀性：公自转综合均匀度≤2%，
- 最大镀膜尺寸：250mm*3
- Φ600mm*690mm(h)柱形腔室；可拆卸腔室内胆，前后开门，前门自动上下滑轨式开启；前门配有观察窗；
- CTI CRYO-torr8低温泵(1500L/s)+36m3/hr干式涡旋前级泵真空获得系统。
- INFICON BPG400复合全量程真空计嵌入PLC真空度显示界面；
- VAT ISO-F200高真空摆阀，有效保证腔室内保压和低温泵再生隔离；
- Telemark E-BEAM SOURCE 244-9906-1 6位7cc电子束蒸发源、配套电源和自动场扫描控制模块（可选）；
- 2组电阻热蒸发源和配套400A*4-10V蒸发电源可蒸发金属和高分子有机镀材，主电极带水冷功能；
- 3组独立蒸发源挡，保证镀材互相无污染，并可以自动控制开关；
- 3组独立挂载式带公自转功能的基片盘，可自动转速控制旋转（0-30RPM），挂架支撑座高度和挂架角度可调；
- 腔室底部配备3组红外辐射加热装置，自动PID温控系统温控范围为室温-300℃±0.5℃；
- 腔室外配备3组冷却水槽，一体化控制腔体、前门盖、电子束源、蒸发电极等的冷却系统，温控范围可预设调整；
- 配备INFICON IC6多通道膜厚仪，2个带水冷的双石英晶振探头，可预设镀膜工艺，镀膜层数不限，最小膜厚分辨率可达0.01A/s,石英晶振探头位置和角度可调。
- 自开发PC+PLC+FTM组合专业镀膜控制软件，全PC端操作控制系统启停和镀膜控制，手动和自动模式可自由切换，自动运行镀膜过程可随时编辑和修改参数，软件分级控制操作界面，历史数据查询和文件导出功能,并可以通过网络更新；
- 系统配备多重互锁机构及预警装置，包括电子束源安全接地放电装置；电源故障/腔室门开启/气体压力/冷却水压力/低温泵再生等多重锁定功能；
- 配备自开发腔室真空压力自动控制系统，通过精确压力检测、真空阀体开度等PID控制系统压力，保证在预设压力完成镀膜工艺；
场地要求：
- 设备外形尺寸：1750mm×1150mm×2000mm（H）
- 总质量：650KG
- 环境要求：温度23℃±3℃；湿度＜60%R.H
- 供电要求：AC 230V；32A；50HZ
- 冷却水:0.2MPa，水温15～25℃，流量≥8L/min
- 供气： 0.5Mpa,80L/min
技术服务及质量保证：
- 本系统采用标准工业化模块构建，质量稳定可靠、通用配件易于更换、作业效率更高、产品品质满足实际规模生产要求。
- 提供该设备的技术使用说明书及外购配件仪器仪表说明书；
- 一年内免费维修正常使用出现的故障，非正常的故障维修只核收工本费及差旅费，终身维修只核收工本费及差旅费；
创建时间：2024-06-16 12:14
